• <pre id="o6peb"></pre>

      <li id="o6peb"></li>

      文章詳情

      igbt工作特點(diǎn)

      日期:2024-06-21 19:38
      瀏覽次數:1276
      摘要: igbt工作特點(diǎn) 動(dòng)態(tài)特性 動(dòng)態(tài)特性又稱(chēng)開(kāi)關(guān)特性,igbt的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分:一是開(kāi)關(guān)速度,主要指標是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間;另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。 IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。igbt處于導通態(tài)時(shí),由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管,所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構,但流過(guò)MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時(shí),通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示:: Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh 式中Uj1 —— JI 結的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓...
      igbt工作特點(diǎn)
      動(dòng)態(tài)特性
      動(dòng)態(tài)特性又稱(chēng)開(kāi)關(guān)特性,igbt的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分:一是開(kāi)關(guān)速度,主要指標是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間;另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。
      IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。igbt處于導通態(tài)時(shí),由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管,所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構,但流過(guò)MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時(shí),通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示::
      Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
      式中Uj1 —— JI 結的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降;Roh ——溝道電阻。
      通態(tài)電流Ids 可用下式表示:
      Ids=(1+Bpnp)Imos
      式中Imos ——流過(guò)MOSFET 的電流。

      本公司還有西門(mén)康igbt、igbt模塊、英飛凌igbt模塊等產(chǎn)品,您可以通過(guò)網(wǎng)頁(yè)撥打本公司的服務(wù)電話(huà)了解更多產(chǎn)品的詳細信息,至善至美的服務(wù)是我們的追求,歡迎新老客戶(hù)放心選購自己心儀產(chǎn)品,我們將竭誠為您服務(wù)!

      京公網(wǎng)安備 11010502035422號

      日韩去日本高清在线|欧美老熟妇videos极品另类|亚洲人成在线播放网站|99久久综合精品五月天